A Samsung memóriapiaci rekordprofitjai után a memóriák értékesítéséből most az AI igényeire szabott NAND flash memória új generációján dolgozik. A dél-koreai vállalat nem egyetlen univerzális tárolási megoldásban gondolkodik: három eltérő technológiát készít elő, amelyek a helyben futó AI-tól az adatközpontokig különböző felhasználási helyzetekre készülnek.
A koreai ZDNet információi szerint a három fejlesztési irány a zNAND-O, a zNAND-T és a zNAND-I. A Samsung eddig csak az első változatot jelentette be hivatalosan.
Ezt kínálhatják az új memóriatípusok:
zNAND-O a helyben AI-alkalmazásokat futtató eszközökhöz készül, ahol kiemelten fontos az alacsony fogyasztás. A Samsung négy- vagy nyolcrétegű, egymásra épített NAND-chipeket alkalmazó architektúrát használ, amelyek TSV (Through-Silicon Via) technológiával kapcsolódnak. Ez rövidebb adatutat biztosít, és a cél az energiahatékonyság javítása, nem feltétlenül a nyers teljesítmény maximalizálása.
zNAND-T az adatközpontok AI-infrastruktúráját célozza. Itt a sávszélesség az elsődleges, vagyis a nagy mennyiségű adat lehető leggyorsabb átvitele. A technológia a High Bandwidth Flash (HBF) koncepcióba illeszkedik, amelyet nagy adatfolyamot igénylő alkalmazásokhoz terveztek.
Ezzel szemben a zNAND-I a másodpercenkénti bemeneti-kimeneti műveletek (IOPS) számára helyezi a hangsúlyt. Ez különösen az AI-inferenciánál fontos, ahol a rendszereknek sok, kis adatmennyiséget érintő hozzáférést kell gyorsan kezelniük.
Egyre izgalmasabb verseny
A rendelkezésre álló információk alapján a zNAND-T és a zNAND-I még nem kapott hivatalos megerősítést, és korai fejlesztési szakaszban lehet. A stratégia hasonlít a SK Hynix megközelítésére, amely szintén három specializált NAND-technológián dolgozik. Hosszabb távon ez a diverzifikáció a flash memóriát az AI-infrastruktúra jóval fontosabb elemévé teheti, messze túlmutatva a hagyományos SSD-szerepén.
