A Samsung meg akarja őrizni technológiai előnyét a memóriapiacon, miközben a kínai gyártók gyorsan zárkóznak fel. A dél-koreai vállalat megerősítette, hogy 4F2 VCT architektúrájú DRAM-memóriákat fejleszt. A Vertical Channel Transistor eljárás a szilícium ugyanakkora felületén nagyobb memóriakapacitás integrálását teszi lehetővé. A lépés azt követi, hogy a kínai Changxin Memory Technology (CXMT) bejelentette: 2026 végéig ugyanerre az architektúrára épülő, szerverekbe szánt DRAM-okat kíván piacra dobni.
A megerősítést Song Jae-hyuk, a Samsung Electronics technológiai igazgatója adta a szöuli SEDEX 2026 kiállításon. Arra a kérdésre, hogy a Samsung dolgozik-e a 4F2 technológián, igennel válaszolt. A CXMT korábbi bejelentése visszaesést okozott a Samsung részvényein, mert a befektetők aggódnak a kínai konkurencia gyors előretörése miatt. A Samsungnak egy olyan piacon kell védenie pozícióját, ahol folyamatosan nő az MI-szerverek memóriája iránti kereslet.
Mit jelent a 4F2 VCT? A hagyományos DRAM-ok cellái jellemzően vízszintes elrendezésűek. A tranzisztorok zsugorodásával egyre nehezebb több cellát ugyanakkora területre zsúfolni. Az új megközelítés függőleges csatornás tranzisztorokat alkalmaz, így egy memóriacella kisebb alapterületet foglalhat el. A 4F2 elnevezés olyan elméleti területet jelöl, amely a minimális gyártási méret négyzetének négyszerese. Az eredmény fizikai méretnövekedés nélkül nagyobb kapacitású chipeket hozhat, ami különösen fontos az adatközpontok és az MI-gyorsítók számára.
Hosszabb távon az iparág a 3D DRAM felé tart, ahol a cellák több rétegben is egymásra épülhetnek, a NAND Flash fejlődéséhez hasonlóan. Az ilyen architektúra további sűrűség- és energiahatékonysági előnyt kínálhat. A Samsung más fejlett megoldásokat is vizsgál, köztük az MI-rendszerek adatátvitelét gyorsító zHBM-et és a nagy teljesítményű tárolásra szánt zNAND-O-t. A 4F2 VCT memóriák sorozatgyártásának időpontját a vállalat egyelőre nem közölte, de a CXMT-vel zajló verseny felgyorsíthatja a következő DRAM-generáció fejlesztését.
